Name: Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA80-E3/45
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: G3SBA80-E3/45
Price: 0.6996 USD
Availability: InStock
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA80-E3/45

Artikelnummer:

G3SBA80-E3/45

Hersteller / Marke:

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Teil der Beschreibung.:

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU

Datenblätte:

1.G3SBA80-E3/45.pdf ···: 2D -Zeichnungen
DD-004-2015-Rev-0 14/Jan/2015.pdf Mult Devices 22/Jul/2018.pdf G3SBA20, 60 & 80.pdf G3SBA20, 60 & 80.pdf Packaging Information.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA80-E3/45 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments G3SBA80-E3/45.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Spitzensperr- (max)	800 V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1 V @ 2 A
Technologie	Standard
Supplier Device-Gehäuse	GBU
Serie	-
Verpackung / Gehäuse	4-SIP, GBU
Paket	Tube

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Diodentyp	Single Phase
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	5 µA @ 800 V
Strom - Richt (Io)	2.3 A
Grundproduktnummer	G3SBA80
G3SBA80-E3/45 Einzelheiten PDF [English]	G3SBA80-E3/45 PDF - EN.pdf

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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